wordpress相册点击弹出框成都seo技术经理
美国内存巨头美光正准备从 2025 年开始在其位于日本广岛的晶圆厂生产最先进的“1γ”DRAM。同时，公司计划在同一晶圆厂生产高带宽存储器（HBM），以满足对生成式人工智能应用日益增长的需求。
据《日经亚洲》12月13日报道，美光存储器日本副总裁Joshua Lee在SEMICON Japan 2023活动期间宣布了这一消息。Lee强调，广岛晶圆厂计划到2025年生产采用最先进的“1γ”工艺的DRAM工艺。他还指出，美光也将成为第一家将极紫外（EUV）光刻设备引入日本的半导体公司。
除此之外，Lee 还分享了美光在广岛晶圆厂生产 HBM 的意图，HBM 广泛用于生成式 AI 应用。他表示，日本强大的半导体生态系统将成为美光进步的关键驱动力。此外，他强调，合作对于日本确立其作为半导体供应链的全球领导者至关重要。
10月初，日本经济产业省（METI）宣布为美光广岛晶圆厂提供1920亿日元的巨额补贴。美光最近宣布了未来几年在日本投资5000亿日元的综合投资计划，其中包括广岛晶圆厂。
美光一直在日本和台湾积极发展其DRAM制造业务。美光台湾公司副总裁卢东辉在9月接受UDN新闻采访时透露，美光约65%的DRAM产量来自台湾。关于向1β制程的迁移，去年美光日本开始量产，美光台湾今年也开始量产。至于更先进的1γ工艺，预计到2025年将在台湾和日本进行生产。
TrendForce分析也显示，美光正在利用其1β纳米技术生产HBM3e，以期获得与韩国供应商相比的竞争优势。其前端制造战略性地定位于日本，与1β纳米产能的扩张计划保持一致。
此外，美光还在台湾建立了后端工厂，以满足人工智能时代推动的 HBM 需求激增。TrendForce集邦咨询预计，2024年HBM产品将大幅提升DRAM供应商的收入。
扩展阅读：三家内存原厂争抢英伟达高端GPU HBM市场
如果您看完有所受益，欢迎点击文章底部左下角“关注”并点击“分享”、“在看”，非常感谢！
精彩推荐:
-
NVMe over CXL技术如何加速Host与SSD数据传输？
-
浅析LDPC软解码对SSD延迟的影响
-
为什么QLC NAND才是ZNS SSD最大的赢家？
-
SSD在AI发展中的关键作用：从高速缓存到数据湖
-
浅析不同NAND架构的差异与影响
-
SSD基础架构与NAND IO并发问题探讨
-
字节跳动ZNS SSD应用案例解析
-
SSD数据在写入NAND之前为何要随机化？
-
深度剖析：DMA对PCIe数据传输性能的影响
-
深入解析SSD Wear Leveling磨损均衡技术：如何让你的硬盘更长寿？
-
CXL崛起：2024启航，2025年开启新时代
-
NVMe SSD：ZNS与FDP对决，你选谁？
-
如何通过优化Read-Retry机制降低SSD读延迟？
-
关于硬盘质量大数据分析的思考
-
存储系统性能优化中IOMMU的作用是什么？
-
全景解析SSD IO QoS性能优化
-
NVMe IO数据传输如何选择PRP or SGL？
-
浅析nvme原子写的应用场景
-
多维度深入剖析QLC SSD硬件延迟的来源
-
浅析PCIe链路LTSSM状态机
-
浅析Relaxed Ordering对PCIe系统稳定性的影响
-
实战篇｜浅析MPS对PCIe系统稳定性的影响
-
浅析PCI配置空间
-
浅析PCIe系统性能
-
存储随笔《NVMe专题》大合集及PDF版正式发布！